2月28日消息，据外媒报道称，GlobalFoundries（格芯）宣布已经完成了22FDX（22 nm FD-SOI）技术开发，而这项技术用于生产嵌入式磁阻非易失性存储器（eMRAM）。格芯表示，使用其22FDX和eMRAM工艺技术生产的测试芯片，在ECC关闭模式下，在-40°C到125°C的工作温度下，具有10万个周期的耐久性和10年的数据保持能力。